ASML公司的EUV光刻机全球独一份,现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上,台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了,SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。

据报道,SK海力士总裁李石熙日前表示,该公司计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV光刻机生产第四代(1a nm)DRAM产品。

李石熙表示M16工厂将于今年底建成,明年上半年开始引入制造设备,目前实验室正在进行准备工作,预计明年开始量产。

对内存来说,它跟CPU逻辑工艺一样面临着需要微缩的问题,EUV光刻机可以减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。

当然,上EUV工艺的代价也不是没有,EUV光刻机单价10亿元以上,产量还是不如传统DUV光刻机,意味着初期成本会比较高。

在SK海力士之前,三星也宣布使用EUV工艺生产内存,前不久发布的16Gb容量LPDDR5内存已经用上了,带宽速度为6400Mbps(等价6400MHz),比现款12Gb LPDDR5-5500快了16%。

在16GB的总容量下,允许一秒内传输10部5GB高清电影(51.2GB)。

三大内存原厂中,只有美光对EUV工艺不太热心,不过随着前两大厂商上马EUV工艺,美光后续的想法或许也会改变了。

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